TSMC의 1.6나노 공정 개발 배경 및 핵심 기술대만 TSMC가 1.6나노미터(nm)급 차세대 공정 개발에 성공했다는 소식이 전해졌습니다. 이 기술은 웨이퍼 뒷면을 활용하여 전력 공급 경로를 최적화하는 후면전력공급(BSPDN) 방식을 채택하고 있습니다. 이를 통해 기존 공정 대비 성능 향상과 전력 소비 절감을 동시에 달성할 수 있게 되었습니다. 후면전력공급(BSPDN) 기술의 원리와 장점BSPDN 기술은 반도체 칩에 전기를 공급하는 전력선을 칩 뒷면으로 옮겨, 데이터 신호선과의 공간 경쟁을 줄이는 혁신적인 접근 방식입니다. 이러한 분리 설계를 통해 전력 손실과 신호 간섭을 최소화하며, 칩의 성능과 전력 효율을 극대화하는 것이 가능해집니다. 이는 마치 학교 복도에서 학생 이동 경로와 배관 경로를 분..